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전자工學 논리회로 實驗(실험) - Logic 연산과 Gates

페이지 정보

작성일 23-01-17 21:19

본문




Download : 전자공학 논리회로 실험 - Logic 연산과 Gates.hwp




OR도 마찬가지로 Output에서 0.6V가 강하되어

나타난다.


설명




Download : 전자공학 논리회로 실험 - Logic 연산과 Gates.hwp( 99 )







순서

전자工學 논리회로 實驗(실험) - Logic 연산과 Gates
전자공학,논리회로,실험,Logic,연산과,Gates,공학기술,레포트
다.
2. IC gates
☞ 학습goal(목표)
연산이 설계되어있는 IC를 이용하여 logic연산을 확인하자
☞ 실험
3. OR gate (TTL…(skip)

4. AND gate (TTL IC 7408)

5. IC NOT gate (TTL IC 7404)

6. NOT With OR and INVERT (IC 7432, IC 7404)

7. NOR gate (TTL IC 7402)

8. IC NAND GATE (IC 7400)

9. Tied NAND

10. NAND, NOR gate

10.1 NAND gate만 이용하여 만든 NOR gate

10.2 NOR gate만 이용하여 만든 NAND gate

결과 : NAND, NOR gate만으로 NOR, NAND gate를 만들 수 있다아

10.3 AND gate만으로 만든 OR gate를 만들어 보자.

결과 : AND gate만으로 OR gate를 만들 수 있지만, OR gate만으로는 AND gate를 만들 수 없다. 전자工學 논리회로 實驗(실험) - Logic 연산과 Gates


전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_01.gif 전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_02.gif 전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_03.gif 전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_04.gif 전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_05.gif 전자공학%20논리회로%20실험%20-%20Logic%20연산과%20Gates_hwp_06.gif
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레포트/공학기술





Logic 연산과 Gates

1. Diode logic 연산

☞ 학습goal(목표)
AND, OR diode circuit 의 characteristic(특성)을 diode logic 연산으로 알아보자.
☞ 실험
1. AND gate
A
B
AB
5V
5V
5.15V
5V
0V
0.64V
0V
5V
0.64V
0V
0V
0.64V

2. OR gate

A
B
A+B
5V
5V
4.54V
5V
0V
4.51V
0V
5V
4.51V
0V
0V
0V
오차 및 결과
오차 : And Input에 거짓=0V가 걸리면 Output에 거짓=0V가 걸려 야하나. Diode 전압강하 특징으로 0.64V의 전위차가 생겨 C에 0.64V가 걸린다. 결과 : 근사치로 logic회로의 특징을 갖지만 정확한 ‘0’ , ‘1’ 으로 나타나
지는 않는다.
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